光刻胶去除剂与剥离剂

›EKC830 –正性光刻胶去除

›EKC865 –在不损伤敏感金属的前提下去除正性光刻胶（在使用 Remover 1165的时候）

›EKC922 –在不损伤固化或半固化聚酰亚胺的前提下，同时去除正性和负性光刻胶

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LED、TSV、WLP 清洗试剂

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›EKC175–为去除基于等离子体工艺的类似 TSV（硅通孔）的光刻胶残留物，需具备可水洗且与铝兼容的特性

›EKC830–为去除干法刻蚀 TSV（硅通孔）工艺中形成的顽固刻蚀后残留物，以实现无缺陷的通孔填充工艺

›EKC922 –用于去除负性光刻胶，兼容砷化镓（GaAs）及种类极其广泛的金属材料

用于铝（Al）和铜（Cu）互连结构的蚀刻后残留物去除剂（PERR）

›EKC265–用于去除蚀刻工艺后产生的光刻胶残留物，无论是否经过氧灰化处理均有效

›EKC270(T)–用于去除灰化后的光刻胶残留物、有机聚合物及有机金属蚀刻残留物，同时提升了与钛（Ti）的兼容性。

›EKC2100–用于清洁蚀刻后残留物，适用于单晶圆设备，与低温氧化物（LTO）和氧化铟锡（ITO）具有良好的兼容性

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PCMP清洗剂适用于前端工艺（FEOL）中的氧化铈、多晶硅、二氧化硅材料，中端工艺（MEOL）中的钨材料，以及后端工艺（BEOL）中的铜材料制程

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›PCMP3210系列–化学机械抛光（CMP）后钨互连清洗产品，兼容钨（W）和钴（Co）材料，在 TEOS（四乙氧基硅烷）或氮化硅（SiN）表面具有极低的缺陷率

›EKC2100–用于清洁蚀刻后残留物，适用于单晶圆设备，与低温氧化物（LTO）和氧化铟锡（ITO）具有良好的兼容性

›PCMP5600系列–化学机械抛光后铜互连结构清洗液（PCMP5610/5620/5615/5650）