AT810 经济性原子层沉积设备
台式系统占地面积小
采用半导体级金属密封管路以及兼容高温的快速脉冲原子层沉积(ALD)阀。
用于集成惰性气体吹扫的超快速质量流量控制器(MFC)。
6 英寸圆形卡盘(最大适配 7 英寸方形),可针对更小尺寸或其他形状(高 11 毫米)定制。
3 种有机金属前驱体和 2 种(最多 3 种 )反反应物。
全程加热管路(从前驱体到反应腔室 )。
全半导体级铝制腔室,温度范围最高可达 300℃
7 英寸触摸屏可编程逻辑控制器(PLC),无需个人电脑(PC)。
特征
· 占地面积小的桌面系统,兼容洁净室。
· 全铝(半导体级)腔室 - 温度高达 300°C
· 高温半导体级快速脉冲 ALD 阀,带有超快 MFC,用于集成惰性气体吹扫。
· 8 英寸圆卡盘可定制为较小尺寸或其他形状。
· 流线型腔室设计和小腔室容积
· 3 种有机金属前体和 2 种(最多 3 种)反反应物。
前体可以加热到 150°C。
· 整个加热管线(从前体到腔室)。
· 系统维护简单,市场上公用事业和前体使用量
· 高曝光(用于沟槽和多孔基材)和静态处理模式
· 7 英寸触摸屏 PLC 控制器(无需 PC)
规格
· 室温从室温到 300°C ± 1°C
· 前驱体温度从室温到 150°C ± 2°C(带加热夹套)
· 市场上占地面积最小,台式安装和洁净室兼容
· 系统维护简单,市场上公用事业和前体使用量
· 流线型腔室设计和小腔室容积
· 快速循环能力和高曝光,可进行深度渗透处理
· 从前体到腔室的所有金属都是密封的。
· 典型工作压力
· 全硬件和软件联锁,可在多用户环境中安全运行
· 110 – 220 VAC,单相,50/60Hz,15 安培(220V 为 10A)
· 重量约 100 磅(45 公斤)
选件
· 定制卡盘/压板(方形、小件压痕、粉末)
· 定制腔室(更厚的基板)
· ATOzone – 臭氧发生器(某些薄膜需要:Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高质量 Al2O3、高质量 HfO2)
可选 – 臭氧安全监测器,可实时检测环境臭氧气体
· QCM(石英晶体微量天平)
· 手套箱集成(通常要求不将基材暴露在潮湿环境中;硫化物等。
· 外部控制 – PC/软件链接(允许远程编程和运行)
· 通风前驱体柜
· 备用室
· IGPA(惰性气体压力辅助)用于低蒸气压前驱体
· 前驱体温度更高(至 180°C)
· 第三反反应物
第三对反应物的软件控制
安装
有关详细说明,请参阅我们的演示和视频说明:“AT810 安装和启动 "
N2 吹扫气体应为 >99.9995%,带截止阀(调节至 10 – 30 psi,金属密封),。
输入线是 1/4 母头 VCR 压缩接头
通过 1/4 英寸金属线将 99.9995% 氮气 (UHP) 吹扫气体>背面的 1/4 英寸压缩接头连接起来
通过 90/110 英寸聚乙烯管或金属线将 1-4 psi CDA(清洁干燥空气)连接到另一个标有 CDA(清洁干燥空气)的 1/4 英寸压缩接头
最小 19.5cfm 湿泵(**需要 PTFE 真空流体(如 Fomblin))
NW25 (KF25) (1“) 连接和排气管(带 5cfm >拉)
大于 1 米应使用 NW40 (1.5“) 排气管
前驱体通过内螺纹 VCR 弯头连接(始终使用新垫圈)
弯头:1/4“ 垫圈先(戴手套)
有关前体连接,请参阅“AT810 工具和软件"。
软件
有关详细说明,请参阅我们的演示和视频说明:“AT810 安装和启动 "
输入子周期和总周期
人机界面 (HMI) PLC 系统,带 7 英寸触摸屏面板
适用于标准 ALD 循环沉积的高级控制,如纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜
用于高质量、经过测试的工艺的配方数据库
自定义配方输入屏幕
实时显示工艺状态
可单独编程的加热源温度
用于三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列
快速运行,简单的问题让用户开始