AT810 经济性原子层沉积设备

AT810 经济性原子层沉积设备台式系统占地面积小

采用半导体级金属密封管路以及兼容高温的快速脉冲原子层沉积（ALD）阀。
用于集成惰性气体吹扫的超快速质量流量控制器（MFC）。
6 英寸圆形卡盘（最大适配 7 英寸方形），可针对更小尺寸或其他形状（高 11 毫米）定制。
3 种有机金属前驱体和 2 种（最多 3 种 ）反反应物。
全程加热管路（从前驱体到反应腔室 ）。
全半导体级铝制腔室，温度范围最高可达 300℃
7 英寸触摸屏可编程逻辑控制器（PLC），无需个人电脑（PC）。

特征

• · 占地面积小的桌面系统，兼容洁净室。

• · 全铝（半导体级）腔室 - 温度高达 300°C

• · 高温半导体级快速脉冲 ALD 阀，带有超快 MFC，用于集成惰性气体吹扫。

• · 8 英寸圆卡盘可定制为较小尺寸或其他形状。

• · 流线型腔室设计和小腔室容积

• · 3 种有机金属前体和 2 种（最多 3 种）反反应物。

• 前体可以加热到 150°C。

• · 整个加热管线（从前体到腔室）。

• · 系统维护简单，市场上公用事业和前体使用量

• · 高曝光（用于沟槽和多孔基材）和静态处理模式

• · 7 英寸触摸屏 PLC 控制器（无需 PC）

规格

• · 室温从室温到 300°C ± 1°C

• · 前驱体温度从室温到 150°C ± 2°C（带加热夹套）

• · 市场上占地面积最小，台式安装和洁净室兼容

• · 系统维护简单，市场上公用事业和前体使用量

• · 流线型腔室设计和小腔室容积

• · 快速循环能力和高曝光，可进行深度渗透处理

• · 从前体到腔室的所有金属都是密封的。

• · 典型工作压力

• · 全硬件和软件联锁，可在多用户环境中安全运行

• · 110 – 220 VAC，单相，50/60Hz，15 安培（220V 为 10A）

• · 重量约 100 磅（45 公斤）

选件

• · 定制卡盘/压板（方形、小件压痕、粉末）

• · 定制腔室（更厚的基板）

• · ATOzone – 臭氧发生器（某些薄膜需要：Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高质量 Al2O3、高质量 HfO2）

• 可选 – 臭氧安全监测器，可实时检测环境臭氧气体

• · QCM（石英晶体微量天平）

• · 手套箱集成（通常要求不将基材暴露在潮湿环境中;硫化物等。

• · 外部控制 – PC/软件链接（允许远程编程和运行）

• · 通风前驱体柜

• · 备用室

• · IGPA（惰性气体压力辅助）用于低蒸气压前驱体

• · 前驱体温度更高（至 180°C）

• · 第三反反应物

• 第三对反应物的软件控制

安装

• 有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT810 安装和启动 "

• N2 吹扫气体应为 >99.9995%，带截止阀（调节至 10 – 30 psi，金属密封）。

• 输入线是 1/4 母头 VCR 压缩接头

• 通过 1/4 英寸金属线将 99.9995% 氮气 （UHP） 吹扫气体>背面的 1/4 英寸压缩接头连接起来

• 通过 90/110 英寸聚乙烯管或金属线将 1-4 psi CDA（清洁干燥空气）连接到另一个标有 CDA（清洁干燥空气）的 1/4 英寸压缩接头

• 最小 19.5cfm 湿泵（**需要 PTFE 真空流体（如 Fomblin））

• NW25 （KF25） （1“） 连接和排气管（带 5cfm >拉）

• 大于 1 米应使用 NW40 （1.5“） 排气管

• 前驱体通过内螺纹 VCR 弯头连接（始终使用新垫圈）

• 弯头：1/4“ 垫圈先（戴手套）

• 有关前体连接，请参阅“AT810 工具和软件"。

软件

• AT810 经济性原子层沉积设备有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT810 安装和启动 "

• 输入子周期和总周期

• 人机界面 （HMI） PLC 系统，带 7 英寸触摸屏面板

• 适用于标准 ALD 循环沉积的高级控制，如纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜

• 用于高质量、经过测试的工艺的配方数据库

• 自定义配方输入屏幕

• 实时显示工艺状态

• 可单独编程的加热源温度

• 用于三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列

• 快速运行，简单的问题让用户开始