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  • AT810 经济性原子层沉积设备
    AT810 经济性原子层沉积设备

    AT810 经济性原子层沉积设备是小占地面积台式系统。采用半导体级金属密封管路以及兼容高温的快速脉冲原子层沉积(ALD)阀。用于集成惰性气体吹扫的超快速质量流量控制器(MFC)。6 英寸圆形卡盘(最大适配 7 英寸方形),可针对更小尺寸或其他形状(高 11 毫米)定制。

    更新时间:2025-08-01型号:浏览量:18
  • AT610 经济性原子层沉积设备
    AT610 经济性原子层沉积设备

    AT610 经济性原子层沉积设备是小占地面积台式系统。采用半导体级金属密封管路以及兼容高温的快速脉冲原子层沉积(ALD)阀。用于集成惰性气体吹扫的超快速质量流量控制器(MFC)。6 英寸圆形卡盘(最大适配 7 英寸方形),可针对更小尺寸或其他形状(高 11 毫米)定制。

    更新时间:2025-08-01型号:浏览量:20
  • AT 臭氧发生器
    AT 臭氧发生器

    AT 臭氧发生器采用高品质元器件,能以极小的体型提供高浓度(最高 12%)臭氧。该系统无需昂贵且笨重的水冷装置,内置的高速风扇即使在长时间或持续使用时,也能保持等离子体室的冷却。可在臭氧、氧气和关闭状态之间进行手动或自动切换。

    更新时间:2025-08-01型号:浏览量:24
  • AT650/850T 台式热原子层沉积设备
    AT650/850T 台式热原子层沉积设备

    AT650/850T 台式热原子层沉积设备,具备现场升级为等离子体模式的能力,占地面积小(38.1 厘米,宽 15 英寸),可容纳直径为 6 英寸或更小的样品。

    更新时间:2025-07-31型号:浏览量:31
  • AT650/850P 台式等离子原子层沉积设备
    AT650/850P 台式等离子原子层沉积设备

    AT650/850P 台式等离子原子层沉积设备,其以热系统,配备新高级空心阴极源与 60 MHz RF,有低氧污染等特点;占地小,可容纳 6 英寸及更小样品,可选定制卡盘;有 4 个有机金属源前驱体、多达 4 个氧化剂 / 还原剂源;具备高温兼容快速脉冲 ALD 阀等;温度范围广,静态处理模式可获高曝光 。

    更新时间:2025-08-01型号:浏览量:34
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